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山東力冠微電子裝備

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地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園

電話(huà)：15562450816

郵箱：[email protected]

HVPE 法單晶生長(zhǎng)設(shè)備 —臥式

適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng)、外延生長(zhǎng) Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

HVPE 法單晶生長(zhǎng)設(shè)備 —立式

適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng)、外延生長(zhǎng) Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

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