山東力冠升級PVT設(shè)備，引領(lǐng)8-12英寸碳化硅晶圓高效量產(chǎn)

2025-07-30

為突破大尺寸碳化硅（SiC）晶圓在生長效率、均勻性控制及成本方面的關(guān)鍵瓶頸，山東力冠微電子裝備有限公司近日正式發(fā)布其12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備。為8-12英寸SiC晶圓的規(guī)?；?、穩(wěn)定化、低成本制備樹立了新的行業(yè)標桿。

設(shè)備升級亮點聚焦

12英寸PVT電阻爐：直指規(guī)?；慨a(chǎn)痛點

產(chǎn)能躍升：單爐次生長效率提升達40%，顯著加速12英寸SiC晶圓的產(chǎn)業(yè)化落地步伐。

均勻性保障：集成先進多溫區(qū)精準控制技術(shù)，有效確保晶格質(zhì)量與厚度一致性，滿足嚴苛的量產(chǎn)質(zhì)量要求。

山東力冠12英寸PVT電阻爐

8英寸多坩堝方案：降本提效的關(guān)鍵引擎
效率倍增，成本銳減：

采用3-5個坩堝同步生長，單次產(chǎn)出能力成倍提升，大幅攤薄晶錠的制造成本。

智能精準控制：創(chuàng)新的硬件架構(gòu)與自主研發(fā)的智能控制軟件深度融合，實現(xiàn)高精度溫度與真空壓力動態(tài)調(diào)控。

突破熱場均勻性：獨家多坩堝協(xié)同溫場技術(shù)，系統(tǒng)性解決傳統(tǒng)超大尺寸設(shè)備長期存在的熱場分布不均問題。

保障工藝穩(wěn)定性：高度自動化控制系統(tǒng)最大限度減少人為干預(yù)，確保生產(chǎn)過程的高良率與批次一致性。

市場拓展與創(chuàng)新驅(qū)動

山東力冠微電子裝備憑借其深厚的技術(shù)積淀和快速響應(yīng)的市場策略，已與國內(nèi)多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)建立起深度合作關(guān)系，并正積極拓展全球市場，國際影響力穩(wěn)步提升。

展望未來，山東力冠微電子裝備將持續(xù)聚焦大尺寸、高性價比PVT設(shè)備的研發(fā)與迭代，致力于通過核心設(shè)備的技術(shù)突破，提升全球SiC產(chǎn)業(yè)鏈的效率與韌性，促進供應(yīng)鏈多元化發(fā)展，為半導(dǎo)體材料的革新與廣泛應(yīng)用持續(xù)提供關(guān)鍵動能。